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2016-11-05 by:CAE仿真在線 來源:互聯(lián)網(wǎng)
激勵設置
1、波端口
端口是唯一的一種允許能量流入和流出的邊界條件。
阻抗:作為一個阻抗線,這條線作為HFSS在端口對電場進行積分計算電壓的積分路徑。
一般,阻抗線應該定義在電壓差值最大方向上的兩點之間,如果要分析多個模式,由于電場的變化,需要對每個模式定義不同的阻抗線。
與背景相接觸的端口通常定義為波端口,波端口周圍默認為理想導體邊界。
2、集總端口
在模型內(nèi)部的端口通常定義為集總端口,周圍默認為理想磁邊界。
3、磁偏置
當創(chuàng)建一個鐵氧體材料時,必須通過分配一個磁偏置來定義內(nèi)部偏置場。
4、材料設置:
Relative permittivity 相對介電常數(shù)
Relative permeability 相對磁導率
Bulk conductivity 電導率
Dielectric loss tangent 介質(zhì)損耗正切
Magnetic loss tangent 磁損耗正切
Magnetic saturation 磁飽和度
Lande G factor 朗德因子
Delta H 磁共振線寬
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